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半自動無接觸硅片測試儀(HS-NCS-200SA型)可以測量硅片厚度、總厚度變化TTV、彎曲度、翹曲度、單點和總體平整度，該儀器適用于Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有的材料，強大的軟件功能能夠在幾秒內測試硅片的厚度、總厚度變化TTV、彎曲度、翹曲度、單點和總體平整度，所有的設計都符合ASTM(美國材料實驗協會)和Semi標準，確保與其他工藝儀器的兼容與統一。可用于75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm, 200 mm多種尺寸。



半自動無接觸硅片測試儀 - 產品特點

■ 高性價比可替代全自動
■ 厚度測試無需重新校準
■ 標準Windows系統和友好界面
■ 無與倫比的精確度和測量重復性
■ 符合ASTM(美國材料實驗協會)和Semi標準
■ 采用一鍵式硅片檢測，并生成三維硅片圖像
■ 友好易用
■ 標準的Windows系統，易于安裝和使用。
■ 每個測量和機械參數都可從選項表中進行選擇，該控制軟件具有三個安全級別
■ 從硅片生產環境到硅片幾何工程分析，同時系統對輸出數據進行報表表格定制



半自動無接觸硅片測試儀 - 技術指標

■ 晶圓硅片測試尺寸： 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm, 200 mm .

■ 厚度測試范圍： 1000 u m ， 可擴展到 1700 um.
■ 厚度測試精度： +/-0.25um
■ 厚度重復性精度： 0.050umm

■ TTV 測試精度 : +/-0.05um
■ TTV 重復性精度 : 0.050um

■ 彎曲度測試范圍： +/-500um [+/-850um]
■ 彎曲度測試精度： +/-2.0umm
■ 彎曲度重復性精度： 0.750umm

■ 翹曲度測試范圍： +/-500um [+/-850um]
■ 翹曲度測試精度： +/-2.0umm
■ 翹曲度重復性精度： 0.750umm

■ 平整度（總體）測試精度 : +/-0.05um
■ 平整度（總體）重復性精度 : 0.030um

■ 平整度（點）測試精度 : +/-0.05um
■ 平整度（點）重復性精度 : 0.030um

■ 晶圓硅片導電型號： P 或 N 型
■ 材料： Si ， GaAs ， InP ， Ge 等幾乎 所有半導體材料
■ 可用在： 切片后、磨片前、后， 蝕刻，拋光 以及出廠、入廠質量檢測等
■ 平面 / 缺口：所有的半導體標準平面或缺口
■ 硅片安裝：裸片，藍寶石 / 石英基底， 黏膠帶



半自動無接觸硅片測試儀 - 應用范圍

> 切片
　　>>線鋸設置
　　　　>>>厚度
　　　　>>>總厚度變化TTV
　　>>監測
　　　　>>>導線槽
　　　　>>>刀片更換
>磨片/刻蝕和拋光
　　>> 過程監控
　　>> 厚度
　　>>總厚度變化TTV
　　>> 材料去除率
　　>> 彎曲度
　　>> 翹曲度
　　>> 平整度
>　研磨
　　>> 材料去除率
>　最終檢測
　　>>　抽檢或全檢
　　>> 終檢厚度



半自動無接觸硅片測試儀 - 典型客戶

美國，歐洲，亞洲及國內太陽能及半導體客戶。